近日，我國自主研制的又一款4英寸高純半絕緣碳化矽襯底産品面世，該碳化矽項目由是山東天嶽研制而成的。此前，北京某企業與中科院合作，成功研制了從2英寸到6英寸的碳化矽襯底，完成了我國碳化矽半導體從無到有的過程。如今，我國第二家企業也實現了碳化矽材料大規模量産，标志着我國碳化矽材料發展逐漸走向成熟。

目前大多數的半導體材料都是單晶矽，長期以來，我國的單晶矽主要依靠進口。相比單晶矽，碳化矽材料的制作和應用則一直很困難，當前世界上研發碳化矽器件的主要有美國、德國、瑞士、日本等國家，但直到現在碳化矽的工業應用主要是作為磨料（金剛砂）使用。

碳化矽物理特性與矽有很大不同。單晶碳化矽比單晶矽具有很多優越的物理特性，例如大約10倍的電場強度、大約高3倍的熱導率、大約寬3倍禁帶寬度、大約高一倍的飽和漂移速度。除此之外，雖然碳化矽器件的工藝難度比單晶矽大很多，但是一旦解決工藝問題，碳化矽器件制造流程短，體積重量小、抗氧化壽命長、輸出功率高的特點，将使其成為遠優于單晶矽的21世紀理想半導體材料。而且碳化矽材料對電力的能耗極低，按照如果年産40萬片碳化矽晶片襯底的計劃，僅僅應用在照明領域，每年減耗的電能就相當于節約2600萬噸标準煤，是一種理想的節能材料。

除了軍用之外，民用半導體和電力領域也急需碳化矽材料。過去，碳化矽晶片的産量隻能滿足軍用産品的需要，該企業40萬片的年産量，意味着碳化矽晶片不再是軍用雷達電子設備的“特供”産品，其用途或許可以擴展到發電、輸電、鐵路、照明等民用領域，對國民經濟發展發揮更大作用。